La plateforme nanoRennes dispose d’un ensemble de salles dédiées à la photolithographie et à la chimie. Ces zones bénéficient d’un éclairage inactinique et d’un niveau d’empoussièrement encore amélioré par rapport au autres zones de la salle blanche (dépôt, gravure, caractérisation).

La lithographie optique est à ce jour encore la technique la plus utilisée pour la fabrication de masse de l’industrie de la microélectronique. Au niveau académique, la lithographie optique reste aussi une brique technologique de base pour les activités de recherche et les développements technologiques hébergés à nanoRennes ou dans de nombreuses centrales du réseau Renatech+.

NanoRennes dispose de 5 salles de photolithographie et de chimie, avec 3 salles dédiées aux technologies conventionnelles, une salle dédiée aux technologies plus exotiques (électronique sur substrat biosourcés, textile, 3D…) et une dernière salle partagée avec le CCMO pour les activités de formations. La lithographie optique utilisée à nanoRennes repose sur l’utilisation d’outils standards (aligneurs de masques) lui permettant d’assurer la réalisation de motifs de résine de dimension micronique (1 µm) et sub-micronique (0.5 µm). Ces outils standards sont complétés par d’autre moyens de lithographie dits « maskless » offrant plus de flexibilité et de rapidité dans les développements de procédés pour la lithographie UV, et des performances de résolution accrues pour la lithographie électronique.

Les caractéristiques en terme de résolution pour ces différents moyens de lithographie sont les suivantes:

  • Photolithographie UV (UV4 365-435 nm) : dimension minnimale 1 µm
  • Photolithographie deep-UV (UV3 248 nm) : dimension minnimale 0.5 µm
  • Photolithographie UV « Maskless » : dimension minimale 1 à 2 µm
  • Lithographie électronique « Maskless »: dimension minimale 50~100 nm

L’ensemble de ces équipements de lithographie, leurs caractéristiques et les différentes zones dédiées à la chimie sont présentés ci-dessous.

Lithographie optique classique

MJB4 - Institut FOTON
MA6 -IETR
MJB4 -IETR
MJB3 - Institut FOTON
  • Aligneur Suss Microtec MA6définition minimum 0.5 µm, alignement double face, positionnement pour collage de deux substrats – IETR
  • Aligneurs Suss Microtec MJB4UV et deep UV – Institut FOTON  et IETR 
  • Aligneurs MJB3 – Institut FOTON et IETR

Lithographie optique "Maskless"

Smart-Print - Institut FOTON

 Smart-Print (Marque Microlight3D)

  • Système d’écriture par focalisation d’une matrice LCD.
  • Équipement compact et polyvalent de photolithographie sans masque.
  • Résolution atteignable: 2 µm.
  • Compatible avec des échantillons d’un cm² à 2 pouces de diamètre

 Dilase 250+ (Marque KLOE)

  • Système d’écriture directe laser.
  • Équipement compact et polyvalent de photolithographie laser sans masque.
  • Résolution atteignable: 1 à 2 µm.
  • Compatible avec des échantillon d’un cm² à 4 pouces de dimètre.
Dilase 250+ - IETR

Lithographie électronique "Maskless"

         La limitation principale des techniques de lithographie UV présentés ci-dessus est liée à son pouvoir de résolution qui apparait avec la diffraction de la lumière, connu sous l’appellation « limite d’Abbe ». La lithographie électronique par faisceau d’électrons en écriture directe est assimilable également à une technique « maskless », mais elle repousse cette limite de la diffraction de la lithographie optique. Les motifs sont dessinés directement par le faisceau balayant la résine déposée sur le substrat. Cette technique est lente, à rendement faible, et plus difficile à mettre en œuvre que la lithographie UV mais elle permet d’atteindre de très haute résolution égale au diamètre du faisceau électronique. Les deux équipement disponible sur la plateforme nanoRennes sont les suivants:

MEB de l'IETR et de l'Institut FOTON utilisant des modules e-beam de lithographie (Raith et Xenos)
  • SEM FEG – (FEI – Aprero 2C) + Module d’écriture électronique Raith (Quantum Elphy) – Institut FOTON
  • SEM FEG – (JEOL –  JSM 7600) + module d’écriture électronique Xenos – IETR

Équipements pour la chimie

          Quelle soit optique ou électronique, la lithographie a recours à des procédés de mise en forme, de traitement chimiques et thermiques des résines employées. L’ensemble de ces opérations sont conduits dans des zones spécifiques de la plateforme nanoRennes. Ils permettent le nettoyage de la surface des échantillons, l’enduction des résines, leurs développements et leurs traitements en s’appuyant notamment sur l’utilisation de sorbonnes et de hottes à flux laminaire. Ci-dessous, les 5 zones de la plateformes nanoRennes avec ses principaux équipements permettant le mise en oeuvre de ces différents procédés.

Trois zones chimiques pour les technologies "exotiques" (gauche), la formation (centre), et les technologies conventionnelles (droite) - IETR
Deux zones chimiques dédiés aux technologies silicium et semidconducteurs III-V - Insitut FOTON
  • Tournettes, plaques chauffantes (100°C à 350°C), systèmes d’étuves – IETR et Institut FOTON
  • Sorbonnes de chimie: traitements acido-basiques (HF,HCl, KOH, TMAH,…) et traitement par solvants – IETR et Institut FOTON
  • Coating et développement de résines: SU8, SPR, Shipley standards… – IETR et Institut FOTON
  • Préparation de surfaces par ozonolyse pour croissance MBE – Institut FOTON
  • Dégazage de polymères (technologies PDMS) – IETR

Exemples de réalisations