Les procédés de gravure permettent le transfert dans les matériaux des motifs réalisés dans les résines photosensibles ou électrosensibles. A l’inverse des procédés de transfert dit additifs (dépôt par lift-off, croissance électrolytique, inkjet), la gravure est donc un procédé de transfert soustractif où une partie des matériaux obtenus par croissance, ou par dépôt sont enlevés afin d’obtenir une micro/nanostructuration de la surface des échantillons.

Il existe deux grands principes pour la gravure se différenciant énormément par leur mise en œuvre. Tout d’abord la plus simple et la moins couteuse, c’est la gravure humide qui est considérée comme un procédé purement chimique. Elle consiste à plonger l’échantillon dans une solution dont les espèces chimiques vont réagir avec le matériau à graver. Cette gravure présente certains avantages, comme la possibilité d’obtenir une grande sélectivité entre deux matériaux, mais elle a souvent l’inconvénient majeur d’être isotrope.

Pour certains process, on peut lui préférer la gravure ionique réactive (RIE : Reactive Ion Etching). Cette technique de gravure sèche nécessite alors l’emploi de chambres à vide dans lesquelles des gaz appropriés aux matériaux qu’on souhaite graver seront injectés afin d’obtenir un plasma réactif. Il s’agit cette fois-ci d’un procédé physico-chimique utilisant un plasma contenant des espèces chimiquement actives avec le matériau que l’on souhaite graver. En général on utilise des dérivés du fluor (SF₆ , CF₄ , …) pour des composés à base de silicium. Pour les semiconducteurs III-V les espèces gazeuses sont multiples: le CH₄ + H₂, les dérivés du chlore (BCl₃, Cl₂, SiCl₄) ou encore le HBr.